Nanocrystal MOS with silicon-rich oxide

Isodiana Crupi, Lombardo, Vulpio, Melanotte, Isodiana Crupi, Fazio, Rimini, Gerardi

Risultato della ricerca: Otherpeer review

Abstract

By electrical measurements we investigate the charge trapping and the charge transport in MOS capacitors in which the gate oxide has been replaced with a silicon rich oxide (SRO) film sandwiched between two thin SiO2 layers.
Lingua originaleEnglish
Pagine675-680
Numero di pagine6
Stato di pubblicazionePublished - 2002

All Science Journal Classification (ASJC) codes

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  • ???subjectarea.asjc.2500.2500???
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