Ge-doping dependence of gamma-ray induced germanium lone pair centers in Ge-doped silica

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Lingua originaleEnglish
pagine (da-a)2128-2131
Numero di pagine4
RivistaPHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH
Volume245
Stato di pubblicazionePublished - 2008

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Condensed Matter Physics

Cita questo

@article{3fccd05cf2ce4a608ea507daaa4cfffc,
title = "Ge-doping dependence of gamma-ray induced germanium lone pair centers in Ge-doped silica",
keywords = "difetti di punto, sistemi amorfi",
author = "Antonino Alessi and Roberto Boscaino and Simonpietro Agnello and Gelardi, {Franco Mario}",
year = "2008",
language = "English",
volume = "245",
pages = "2128--2131",
journal = "Physica Status Solidi (B): Basic Research",
issn = "0370-1972",
publisher = "Wiley-VCH Verlag",

}

TY - JOUR

T1 - Ge-doping dependence of gamma-ray induced germanium lone pair centers in Ge-doped silica

AU - Alessi, Antonino

AU - Boscaino, Roberto

AU - Agnello, Simonpietro

AU - Gelardi, Franco Mario

PY - 2008

Y1 - 2008

KW - difetti di punto

KW - sistemi amorfi

UR - http://hdl.handle.net/10447/39336

M3 - Article

VL - 245

SP - 2128

EP - 2131

JO - Physica Status Solidi (B): Basic Research

JF - Physica Status Solidi (B): Basic Research

SN - 0370-1972

ER -