Ge-doping dependence of gamma-ray induced germanium lone pair centers in Ge-doped silica

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Lingua originaleEnglish
pagine (da-a)2128-2131
Numero di pagine4
RivistaPHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH
Volume245
Stato di pubblicazionePublished - 2008

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Condensed Matter Physics

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