Film di ZnO drogati di tipo p per diffusione termica di atomi di fosforo da substrati di InP

Risultato della ricerca: Other


We report on p-type doping of ZnO films grown by pulsed-laser deposition on InP substrates.Electrical properties change of the films, from n-type to p-type, has been observed after postgrowthannealing at 600°C for 1h in air.
Lingua originaleItalian
Numero di pagine0
Stato di pubblicazionePublished - 2012

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