FOTOABLAZIONE LASER FINALIZZATA ALLE DEPOSIZIONE DI MATERIALI OTTICI NON LINEARI

    Progetto: Research project

    Dettagli progetto

    Description

    The aim of the project of the Unit "Dipartimento di Ingegneria Elettrica dell'Unità di Palermo" is apply the know-how to earth rare(Nd3+, Yb3+, Ho3+ e Tm3+) doped oxides photoablation and deposition. Unit "Università di Pisa" will supply crystalline targets.Unit of Palermo will try also to use homemade synthesized targets and compare results. Proposed solution would be very economic,if satisfactory. On expect oxygen will be introduced into the bell jar to compensate deficiency into deposited films.Suitable substrate to grown crystalline films must be tested. Real time control of the process will be made by a spectrometer,observing some emission lines of the generated plume. Post-annealing to re-crystallize produced films will be designed, probably.After a first linear optical characterization made in Unit of Palermo, Unit of Pisa will test samples fully. Information exchange willbe between Unit of Palermo and Unit of Siena, where different materials will be deposited, i.e. fluorites. It is also possible samematerials will be deposited to compare the designed processes.During the first phase we want improve the photoablation apparatus by adding a very sensitive gated CCD array to spectrometerand by purchasing a laser to heat the substrate during the films deposition and make post-annealing of the deposited films.During the second phase our task is the production and characterization of polycrystalline films, optically non-linear, suited foroptoelectronic devices and integrated optics. Cooperation between experimental Units will continue intensely, during the secondphase.

    Layman's description

    L'obiettivo del progetto da sviluppare presso l'Unità del Dipartimento di Ingegneria Elettrica dell'Unità di Palermo è applicare lecompetenze acquisite in passato alla fotoablazione e conseguente deposizione di ossidi drogati con terre rare come Nd3+, Yb3+,Ho3+ e Tm3+. I target, ossia i materiali da fotoabladere, saranno forniti dall'Unità di Pisa in forma cristallina. Si proverà pure adutilizzare target costituiti da polveri sinterizzate e si confronteranno i risultati ottenuti. Questa soluzione, se desse risultatiaccettabili, consentirebbe una notevole economia.Si prevede che sarà necessario dovere immettere nell'ambiente di fotoablazione dell'ossigeno per potere compensare possibilicarenze di questo nei film prodotti.Dovranno essere sperimentati substrati idonei all'accrescimento cristallino dei film.Il controllo del processo in tempo reale potrà essere fatto osservando con un sistema spettrofotometrico alcune righe di emissionedella piuma generata durante il processo.E' possibile che dovrà essere messo a punto un metodo di post-annealing finalizzato a favorire la ricristallizzazione dei materialidepositati.Una prima caratterizzazione ottica lineare dei prodotti sarà compiuta in loco mentre la caratterizzazione ottica non lineare saràportata a termine presso l'Unità di Pisa.Si prevede uno scambio di informazioni con l'Unità di Siena dove saranno fotodepositati materiali differenti, prevalentementefluoruri, ma non è escluso che si possano sperimentare gli stessi materiali e confrontare i risultati al fine di ottimizzare i processimessi a punto in entrambe le unità.Nella prima fase si prevede di potenziale l'impianto di fotoablazione con l'acquisto di un "gated array" di CCD di elevata sensibilitàda collocare sull'uscita di uno spettrofotometro. Dovrà inoltre essere acquistato un laser, probabilmente a CO2, per eseguire ilprocesso di post-annealing o il processo di riscaldamento del substrato durante la deposizione dei materiali.Dopo una prima sperimentazione, la seconda fase prevede la produzione e la caratterizzazione di film policristallini concaratteristiche ottiche non lineari da utilizzare in optoelettronica e nei dispositivi ottici integrati. Anche in questa seconda fase siprevede un'elevata sinergia con le unità di Pisa e Siena.
    StatoAttivo
    Data di inizio/fine effettiva1/1/04 → …