Crescita e caratterizzazione di interfacce metallo/ossido, metallo/polimero e metallo/ossido/polimero per applicazioni ingegneristiche

    Progetto: Research project

    Dettagli progetto

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    Questo progetto è focalizzato sulla preparazione e caratterizzazione di interfacce metallo/ossido o interfacce ibride metallo/polimero e metallo/ossido/polimero per applicazioni ingegneristiche in settori tradizionali quali quello della protezione dal degrado (corrosione) di materiali metallici, ed in settori tecnologicamente avanzati quali la cosiddetta plastic electronics e nella preparazione di giunzioni adesive ibride. Si tratta dell’evoluzione di un progetto PRIN, presentato dallo stesso Coordinatore Scientifico che, pur avendo ricevuto una valutazione positiva, non è stato finanziato. Come il citato progetto PRIN (2008SH339P), si propone di fabbricare e caratterizzare interfacce che coinvolgono materiali inorganici (metalli ed ossidi di questi metalli) ed organici (polimeri), non destinati soltanto alla cosiddetta elettronica organica, ma anche alla protezione di manufatti antichi da preservare dal degrado ed alla preparazione di giunzioni metallo/ polimero e metallo/ossido/polimero nelle cosiddette “giunzioni adesive ibride”.
    Nell’ambito dello studio dei processi di degrado di superfici metalliche e della loro protezione, il primo anno dell’attività sarà dedicato alla caratterizzazione chimico-fisica, in situ e nei diversi ambienti in cui le leghe sono suscettibili di corrosione, degli ossidi accresciuti su rame, argento, oro, stagno e loro leghe. Durante la prima fase di durata pari a 12 mesi la caratterizzazione verrà condotta sui metalli puri. Saranno effettuate misure di spettroscopia a fotocorrente (PCS) e misure di capacità differenziale al fine di determinare le proprietà di stato solido dei film formati.
    Tali misure verranno integrate se necessario con indagini Raman, Diffrattometria a Raggi X, Microscopia elettronica a scansione (SEM) con sonda EDX ed Impedenza elettrochimica (EIS). Lo studio delle proprietà di stato solido dei film di corrosione verrà effettuato accrescendo gli strati corrosione nei diversi ambienti in cui i metalli e leghe oggetto di studio sono suscettibili di corrosione. Durante il secondo anno si effettueranno misure di spettroscopia a fotocorrente e di capacità differenziale su leghe industriali (bronzi e leghe Cu-Ni) e su leghe di metalli nobili (Au-Ag,
    Au-Cu, Ag-Cu). A partire dai dati di fotocorrente e di capacità differenziale verranno definite le proprietà di stato solido e semiconduttrici dei vari film formati nelle diverse condizioni di esperienza. Il confronto con i dati ottenuti sui materiali puri nelle analoghe condizioni di esperienza consentirà di ipotizzare la natura delle fasi formate sulle leghe investigate e verranno messi a punto possibili modelli di comportamento corrosionistico delle varie leghe e valutato l'effetto degli alliganti sulle proprietà semiconduttrici dei film formati.
    Il secondo obiettivo di questo programma di ricerca è quello di studiare la possibilità di fabbricare attraverso una tecnica elettrochimica di basso costo un composito inorganico-organico formato da una struttura metallo/ossido/polimero-semiconduttore che può essere usata come unità base di un transitor ad effetto di campo (field-effect transistor, FET) basato su composito organico-inorganico (OIFET). Per raggiungere tale obiettivo sono state scelte diverse strategie che permetteranno di acquisire informazioni su differenti aree scientifiche ancora inesplorate o ancora aperte alla discussione ed anche di affermare nuove tecnologie che potranno rendere utilizzabile queste tecniche in un settore nuovo ed ancora inesplorato dell'elettronica organica (o plastica) di basso costo ed ampie superfici. Il primo anno dell’attività di ricerca sarà dedicato all’acquisizione per un selezionato, ma abbastanza ampio, numero di film di ossido accresciuti su metalli valvola e leghe di metalli valvola di informazioni sulle loro proprietà elettroniche e di stato solido, che sono di fondamentale importanza per tutte le applicazioni delle interfacce metallo/os
    StatoAttivo
    Data di inizio/fine effettiva1/1/12 → …

    Fingerprint

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