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Mauro Mosca

Associate Professor

  • 939 Citazioni
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19992020
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Risultato della ricerca 1999 2020

Aluminum Oxide
Sapphire
Transition metals
Phase transitions
Metals
Light emitting diodes
Electrodes
Nanorods
Seed
Heterojunctions

Effects of InAlN underlayer on deep traps detected in near-UV InGaN/GaN single quantum well light-emitting diodes

Mosca, M., Chernykh, Smirnov, Lagov, Haller, C., Grandjean, Alexanyan, Pearton, Shchemerov, Shiko, Mosca, M., Carlin, Pavlov, Y. S., Polyakov & Butté, 2019, In : Journal of Applied Physics. 126, pag. 125708-1-125708-8 8 pag.

Risultato della ricerca: Article

light emitting diodes
traps
quantum wells
electroluminescence
irradiation

InAlN underlayer for near ultraviolet InGaN based light emitting diodes

Mosca, M., Haller, C., Grandjean, N., Erni, R., Rossell, M. D., Mosca, M. & Carlin, J-F., 2019, In : Applied Physics Express. 12, pag. 034002-1-034002-4 4 pag.

Risultato della ricerca: Article

Light emitting diodes
light emitting diodes
ultraviolet radiation
Quantum efficiency
Semiconductor quantum wells
Tunnel junctions
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Growth temperature
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